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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

IMZA65R048M1H

產(chǎn)品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，性能可靠且經(jīng)濟高效

封裝：TO247-4
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R090M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R057M1H

產(chǎn)品說明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R022M1H

產(chǎn)品說明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R072M1H

產(chǎn)品說明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R060M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-3封裝的1200V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R350M1H

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1H

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R072M1H

產(chǎn)品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝，性能可靠且經(jīng)濟高效

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R107M1H

產(chǎn)品說明：650V CoolSiC? M1 SiC 溝槽功率器件

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R030M1H

產(chǎn)品說明：650V CoolSiC? M1 SiC 溝槽功率器件

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R163M1H

產(chǎn)品說明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R083M1H

產(chǎn)品說明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBF170R450M1

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD40G120C5XKSA1

產(chǎn)品說明：二極管 1200 V 110A 通孔 PG-TO247-2

封裝：TO-247-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD30G120C5XKSA1

產(chǎn)品說明：二極管 1200 V 87A 通孔 PG-TO247-2

封裝：TO-247-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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