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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價(jià)

操作

S28HL256TFPBHM013

產(chǎn)品說明：256Mb SEMPER? NOR 閃存

封裝：PG-BGA-24
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
S28HS256TGZBHB013

產(chǎn)品說明：256Mb SEMPER? NOR 閃存

封裝：PG-BGA-24
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
S28HS256TGZBHB010

產(chǎn)品說明：256Mb SEMPER? NOR 閃存

封裝：PG-BGA-24
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF600R12KE7PE

產(chǎn)品說明：1200V 600A 共發(fā)射極 IGBT 模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF450R12KE7PE

產(chǎn)品說明：1200V 450A 共發(fā)射極 IGBT 模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRF7328TRPBF

產(chǎn)品說明：30V P 溝道功率 MOSFET 晶體管

封裝：SO-8
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R026M2H

產(chǎn)品說明：650V，26mΩ，碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管，TO-247-4

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R010M2H

產(chǎn)品說明：650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管，TO-247-4

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R060M2H

產(chǎn)品說明：650V、60mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管，TO-247-3

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R078M2H

產(chǎn)品說明：CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V G2，采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R033M2H

產(chǎn)品說明：650V、33mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管，TO-247-3

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R053M2

產(chǎn)品說明：CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V G2，采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R026M2H

產(chǎn)品說明：650V、26mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管，TO-247-3

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R010M2H

產(chǎn)品說明：650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管，TO-247-3

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH70N67PR7

產(chǎn)品說明：670 V、70 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH60N67PR7

產(chǎn)品說明：670 V、60 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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