商品名稱:STGP30H60DFB
數(shù)據(jù)手冊:STGP30H60DFB.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-220
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STGP30H60DFB 600V溝槽式柵極場終止型 IGBT 采用先進的具有專利的溝槽式柵極和場終止型結(jié)構(gòu)。 這些新 HB 器件在傳導和開關(guān)損耗性能之間中取得折衷,使頻率轉(zhuǎn)換器的效率實現(xiàn)最大化。 VCE(sat) 溫度系數(shù)稍正,參數(shù)分布緊密,因而并聯(lián)運行更為安全。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):120 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
功率 - 最大值:260 W
開關(guān)能量:383μJ(開),293μJ(關(guān))
輸入類型:標準
柵極電荷:149 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:37ns/146ns
測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr):53 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商器件封裝:TO-220
基本產(chǎn)品編號:STGP30
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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STM32L073RZI6
STM32L073RZI6是一款超低功耗的Arm Cortex-M0+ 32位微控制器,其運行頻率為32MHz,提供高達0.95 DMIPS/MHz的性能?。該微控制器非常適合采用電池或電能采集供電的應用。技術(shù)規(guī)格STM32L073RZI6單片機的主要規(guī)格包括:核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:…STM32L062K8T6
STM32L062K8T6是一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32位微控制器,屬于STM32L0系列。該系列器件具有動態(tài)電壓調(diào)節(jié)功能、一個超低功率時鐘振蕩器、LCD 接口、比較器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和硬件加密功能。新的自主式外設(shè)(包括 USART、I2C、觸摸傳感控制器)降低了 ARM Cortex-M0+ 內(nèi)核的…STM32L431RCI6
STM32L431RCI6是超低功耗微控制器,基于高性能的 ARMCortex-M4 32位RISC內(nèi)核,其工作頻率高達 80MHz。該內(nèi)核具有單浮點單元(SFPU)精度,支持所有 ARM 單精度數(shù)據(jù)處理指令與數(shù)據(jù)類型。同時執(zhí)行全套 DSP 指令和存儲保護單元(MPU),增強應用安全性。此外,STM32L431RCI6…STM32L053R8T6
STM32L053R8T6是一款基于ARM Cortex-M0+核心的超低功耗微控制器,其工作頻率為32MHz,具有64KB閃存以及8KB RAM,適用于需要低功耗和高性能的嵌入式應用。STM32L053R8T6單片機的主要參數(shù)如下:核心處理器:ARM Cortex-M0+內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:32MHz連接能力:I2C,Ir…STM32L071RZH6
STM32L071RZH6微控制器經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)出色的低功耗。該微控制器采用 ARM Cortex-M0+ 核心和 STM32 超低功耗特性,非常適合采用電池或電能采集供電的應用、同時也是世界上 125C 溫度下功耗最低的微控制器?;緟?shù)STM32L071RZH6單片機的主要參數(shù)包括:核心處理器:ARM …STM32L443CCY6
STM32L443CCY6器件是一款基于80 Mhz Arm Cortex-M4內(nèi)核的32位超低功耗微控制器,具有256KB 閃存以及64KB RAM,廣泛應用于需要高精度計算和低功耗的嵌入式系統(tǒng)。技術(shù)規(guī)格STM32L443CCY6的主要規(guī)格包括:核心處理器:ARM Cortex-M4內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:80MHz連接能力:…電話咨詢:86-755-83294757
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