商品名稱：IXGA20N250HV-TRL
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：TO-263-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IXGA20N250HV-TRL - 2500V、30A、150W 高壓 IGBT 晶體管
產(chǎn)品屬性
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 2500 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值） 30 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) 105 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值） 3.1V @ 15V，20A
功率 - 最大值 150 W
輸入類型 標準
柵極電荷 53 nC
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB
供應商器件封裝 TO-263HV
特性
高壓封裝
電氣隔離接片
高峰值電流能力
低飽和電壓
模塑環(huán)氧樹脂符合 UL 94 V-0 易燃性標準
優(yōu)勢
功率密度高
易于安裝
應用
電容器放電
脈沖電路
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產(chǎn)品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力，電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值…
IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），主要用于10-30kHz的開關應用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V…
IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。其特點和技術規(guī)格如下：特點經(jīng)過優(yōu)化用于低開關損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標準封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅動要求低反向并聯(lián)sonic二…
IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A電…
IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產(chǎn)品優(yōu)化用于需要0至5kHz開關頻率的應用，具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：-配置：單路電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：340 A功率 - 最大值：940 W不同 Vge、Ic 時 Vce…
IXYK220N65A5
IXYK220N65A5是一款IGBT（絕緣柵雙極晶體管），屬于Gen5 XPT?系列產(chǎn)品?。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：510 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：1.18 kA不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）…電話咨詢：86-755-83294757
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