商品名稱:IXA33IF1200HB
品牌:IXYS
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IXA33IF1200HB 高速 IGBT 是高速、高增益 1200V 絕緣柵雙極晶體管產(chǎn)品。1200V XPT 高速 IGBT 具有較高的額定電流(105A 至 160A,Tc = 25°C),并針對需要高達 50kHz 硬開關(guān)頻率的高壓應(yīng)用中降低開關(guān)損耗進行了專門優(yōu)化。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):58 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
功率 - 最大值:250 W
開關(guān)能量:2.5mJ(開),3mJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:76 nC
測試條件:600V,25A,39 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間 (trr):350 ns
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD
應(yīng)用
● 高頻逆變器
● 不間斷電源
● 電機驅(qū)動器
● SMPS
● PFC 電路
● 電池充電器
● 焊接機
● 燈鎮(zhèn)流器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關(guān)能力,電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計人員提供了一種新的高價值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關(guān)損耗。其特點和技術(shù)規(guī)格如下:特點經(jīng)過優(yōu)化用于低開關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產(chǎn)品優(yōu)化用于需要0至5kHz開關(guān)頻率的應(yīng)用,具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:-配置:單路電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):340 A功率 - 最大值:940 W不同 Vge、Ic 時 Vce…IXYK220N65A5
IXYK220N65A5是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極晶體管),屬于Gen5 XPT?系列產(chǎn)品?。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):510 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):1.18 kA不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值)…電話咨詢:86-755-83294757
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