商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ON
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2500 件
NTHL099N60S5屬于SuperFET? V MOSFET Easy Drive 系列具有出色的開(kāi)關(guān)性能,同時(shí)不會(huì)犧牲易用性和 EMI 問(wèn)題,適用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
特性
? 650 V @ TJ= 150°C
? 典型值 RDS(on)= 79.2 m
? 100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
? 無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
規(guī)范
系列: SuperFET? V
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :33A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) :10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 99 毫歐 @ 13.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4V @ 2.8mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 48 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 2500 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 184W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應(yīng)商器件封裝: TO-247-3
應(yīng)用
? 電信/服務(wù)器電源
? 電動(dòng)汽車充電器/UPS/太陽(yáng)能/工業(yè)電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開(kāi)關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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