商品名稱:SiC MOSFET 模塊
品牌:IXYS
年份:24+
封裝:SOT-227-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。
規(guī)格
類型: HiperFET HiperFET
技術(shù): SiC 碳化硅
Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V
安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝
封裝/外殼:SOT-227-4
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度 + 155 C
配置 單通道
下降時(shí)間:19 ns
Id - 持續(xù)漏極電流:47 A
通道數(shù) 1 通道
Rds On - 漏極-源極電阻: 50 mOhms
上升時(shí)間:9 毫微秒
晶體管極性 N 溝道
典型關(guān)斷延遲時(shí)間:75 ns
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:23 ns
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:1.2 kV
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2 V
單位重量:59.703 克
特點(diǎn)
高速開關(guān),低電容
阻斷電壓高,RDS(導(dǎo)通)低
易于并聯(lián),驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單
雪崩堅(jiān)固耐用
抗閂鎖
應(yīng)用
太陽能逆變器
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
開關(guān)模式電源
不間斷電源
電池充電器
感應(yīng)加熱
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動(dòng)全選項(xiàng)混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng) mSiC? MOSFET 模塊
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達(dá)150 kHz的開關(guān)能力,電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計(jì)人員提供了一種新的高價(jià)值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。其特點(diǎn)和技術(shù)規(guī)格如下:特點(diǎn)經(jīng)過優(yōu)化用于低開關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動(dòng)要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產(chǎn)品優(yōu)化用于需要0至5kHz開關(guān)頻率的應(yīng)用,具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:-配置:?jiǎn)温冯妷?- 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):340 A功率 - 最大值:940 W不同 Vge、Ic 時(shí) Vce…IXYK220N65A5
IXYK220N65A5是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極晶體管),屬于Gen5 XPT?系列產(chǎn)品?。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):510 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):1.18 kA不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值)…電話咨詢:86-755-83294757
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