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產(chǎn)品說明:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264
封裝:TO-264-3產(chǎn)品說明:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
封裝:TO-264-3產(chǎn)品說明:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
封裝:TO-264-3產(chǎn)品說明:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
封裝:TO-264-3產(chǎn)品說明:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管
封裝:D3PAK-3產(chǎn)品說明:700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管
封裝:D3PAK-3產(chǎn)品說明:1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動(dòng)全選項(xiàng)混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng) mSiC? MOSFET 模塊
封裝:Module產(chǎn)品說明:1200V, 180 mΩ 碳化硅(SiC)N 溝道 MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:700V,60 mΩ 碳化硅(SiC)N 溝道 MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:1200V,360 mΩ 碳化硅(SiC)N 溝道 MOSFET
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